Обзор и тест бюджетной памяти DDR3-1600 AMD Radeon R5 (R534G1601U1S-U) объёмом 4Гб
Вступление
Уже давно на руоверах не было статей, посвященных выявлению разгонного потенциала памяти стандарта DDR3, тем более бюджетного сегмента. Данный стандарт памяти используется в огромном числе компьютеров энтузиастов, а современному ПО, в особенности играм, с каждым днём необходимо всё больше и больше ресурсов. Поэтому многие пользователи задумываются об увеличении объёма ОЗУ при минимальных затратах, да так, чтобы не пришлось сдерживать потенциал старых добрых samsung или hynix. Я внесу свою лепту в исследование этого вопроса.
Обзор
Итак, героем сегодняшнего обзора является плод творения инженеров компании AMD. Объём равен 4Гб, номинальная частота 1600Мгц, тайминги 11-11-11-28. Продукт относится к серии AMD Radeon R5 Entertainment и продаётся в рознице с маркировкой R534G1601U1S-U.
Упаковка и комплектация
Модули AMD Radeon R5 поставляются в розничной упаковке из прозрачного пластика. Комплектация состоит лишь из самого модуля памяти.
Дизайн и особенности модулей
Модули оперативной памяти AMD Radeon R5 имеют стандартную высоту равную 3см. Память хоть и не оснащается какими-либо радиаторами, но выглядит довольно приятно за счёт сочетания белой маркировки и чёрной паяльной маски.
Рассматривая наклейку, кроме характеристик, можно отметить реального производителя модулей - Galt Advanced Technology. Об этом говорит маркировка "MFR:GALTAE18".
Техническая информация
Объём в 4Гб набран 8 схемами по 512Мб и имеет 1-ранговую организацию.
Чипы памяти перемаркированы самой AMD. Thaiphoon Burner видит модуль вот так:
Тестовый стенд
Материнская плата: MSI Z77 MPower (BIOS 17.12);
Процессор: Intel Core i7-2600K «Sandy Bridge» 4700 МГц;
Система охлаждения: Thermalright Macho Rev A;
Термоинтерфейс: Arctic Cooling MX-2;
Видеокарта: AMD Radeon RX 580 8Gb GDDR5 / HIS Radeon RX 580 IceQ X2 OC (HS-580R8LC);
Блок питания: FSP Epsilon 800W;
Системный накопитель: OCZ Vertex 4 128Gb;
Корпус: Старый InWin с шумовиброизоляцией.
У вас могут возникнуть сомнения в том, что этот стенд подходит для раскрытия потенциала памяти, но могу вас заверить, что в данном случае всё упёрлось в саму память. Был произведён повторный тест на МП Gigabyte Z170M-D3H DDR3, но результаты остались те же.
Результаты тестов
Тест кэша и памяти при стандартных настройках выдаёт следующие значения:
Максимальный разгон составил 2260 Мгц при таймингах 12-12-12-28 CR2 и напряжении 1.5В. Система работала стабильно. Снижение Command Rate успеха не принесло. Замечено отсутствие влияния на повышение напряжения на любых частотах.
Если опустить планку частоты до 2183, то картина становится интересней. Тайминги удалось снизить до 10-11-11 CR1. При падении пропускной способности на 3% задержка снизилась на 6%.
Также вы можете увидеть, какие минимальные тайминги удалось выставить при стандартных частотах от 1333 до 2133 Мгц.
Заключение
Модули памяти AMD R5 продемонстрировали прекрасную способность к разгону даже без повышения напряжения. Частоту удалось поднять со стандартных 1600 МГц до вполне солидных 2260 МГц. Но оптимальным вариантом является режим 2183 МГц при таймингах 10-11-11-28 CR1.
Источник:
https://overclockers.ru/blog/iPhone_Bomgi/show/21153/obzor_i_test_bjudzhetnoj_pamjati_ddr31600_amd_radeon_r5_r534g1601u1su_objomom_4gb
